পাওয়ার অ্যাপ্লিকেশনের জন্য হাই-পাওয়ার MOSFET

IRF640NPBF MOSFET-এর উচ্চতর পারফরম্যান্সের অভিজ্ঞতা নিন

আপনি যদি আপনার পাওয়ার অ্যাপ্লিকেশনের জন্য একটি শক্তিশালী MOSFET খুঁজছেন, IRF640NPBF আপনার জন্য উপযুক্ত পছন্দ।এই উচ্চ-পারফরম্যান্স এন-চ্যানেল এনহ্যান্সমেন্ট-মোড ট্রানজিস্টরটি শুধুমাত্র 0.18 ওহমসের কম অন-স্টেট রেজিস্ট্যান্স সহ চমৎকার কর্মক্ষমতা প্রদানের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।এই MOSFET 18 অ্যাম্পিয়ারের সর্বাধিক কারেন্ট পরিচালনা করতে সক্ষম, যা এটিকে উচ্চ কারেন্ট হ্যান্ডলিং প্রয়োজন এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য একটি আদর্শ পছন্দ করে তোলে।উপরন্তু, এর সর্বোচ্চ 200 ভোল্টের ভোল্টেজ রেটিং নির্ভরযোগ্য অপারেশন নিশ্চিত করে, এমনকি ভারী লোডের মধ্যেও।একটি শ্রমসাধ্য এবং টেকসই ডিজাইনের বৈশিষ্ট্যযুক্ত, IRF640NPBF দীর্ঘস্থায়ী হওয়ার জন্য তৈরি করা হয়েছে।এর প্যাকেজটি হল TO-220AB, যা ইলেকট্রনিক্স ক্ষেত্রে তার চমৎকার থার্মাল পারফরম্যান্সের জন্য ব্যাপকভাবে পরিচিত।এর মানে এটি কোনো ত্রুটি ছাড়াই উচ্চ তাপমাত্রা সহ্য করতে পারে।

এই MOSFET-এ একটি দ্রুত স্যুইচিং গতিও রয়েছে, যা এটিকে যেকোনো পাওয়ার অ্যাপ্লিকেশনে অত্যন্ত দক্ষ করে তোলে।এছাড়াও, এটি ইনস্টল করা সহজ এবং মোটর নিয়ন্ত্রণ, সুইচিং রেগুলেটর, সোলেনয়েড ড্রাইভার এবং আরও অনেক কিছু সহ বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহার করা যেতে পারে।

সংক্ষেপে, আপনি যদি আপনার পাওয়ার অ্যাপ্লিকেশনের জন্য একটি শক্তিশালী MOSFET খুঁজছেন, IRF640NPBF একটি চমৎকার পছন্দ।এর অসামান্য বৈশিষ্ট্য এবং দৃঢ় নকশা সহ, আপনি নিশ্চিত হতে পারেন যে এটি আপনাকে আগামী বছরের জন্য নির্ভরযোগ্য এবং দক্ষ কর্মক্ষমতা প্রদান করবে।

প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্য:

• প্রযুক্তি: Si
• মাউন্ট শৈলী: গর্ত মাধ্যমে
• প্যাকেজ/কেস: TO-220-3
• ট্রানজিস্টর পোলারিটি: এন-চ্যানেল
• চ্যানেলের সংখ্যা: 1টি চ্যানেল
• Vds - ড্রেন-সোর্স ব্রেকডাউন ভোল্টেজ: 200 V
• আইডি - ক্রমাগত ড্রেন বর্তমান: 18 এ
• Rds অন - ড্রেন-সোর্স রেজিস্ট্যান্স: 150 mOhms
• Vgs - গেট-উৎস ভোল্টেজ: - 20 V, + 20 V
• Vgs th - গেট-উৎস থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ: 2 V
• Qg - গেট চার্জ: 44.7 nC
• ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা: - 55 সে
• সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা: + 175 সে
• পিডি - পাওয়ার ডিসিপেশন: 150 ওয়াট
• চ্যানেল মোড: বর্ধন
• প্যাকেজিং: টিউব
• ব্র্যান্ড: ইনফাইনন টেকনোলজিস
• কনফিগারেশন: একক
• পতনের সময়: 5.5 এনএস
• ফরোয়ার্ড ট্রান্সকন্ডাক্টেন্স - ন্যূনতম: 6.8 এস
• উচ্চতা: 15.65 মিমি
• দৈর্ঘ্য: 10 মিমি
• পণ্যের ধরন: MOSFET
• উঠার সময়: 19 এনএস