উচ্চ-পারফরম্যান্স পাওয়ার ট্রানজিস্টর

IRF540NPBF বর্ণনা: উন্নত ইলেকট্রনিক্সের জন্য সুপিরিয়র ডিজাইন

আপনি যদি আপনার ইলেকট্রনিক্স প্রজেক্টের জন্য একটি উন্নত পাওয়ার ট্রানজিস্টর খুঁজছেন, তাহলে IRF540NPBF ছাড়া আর তাকাবেন না।এই উচ্চ-পারফরম্যান্স ট্রানজিস্টরটি ব্যতিক্রমী ফলাফল প্রদানের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, একটি উচ্চতর নকশা যা সর্বোত্তম দক্ষতা এবং নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে।100V পর্যন্ত উচ্চ ভোল্টেজ ক্ষমতার বৈশিষ্ট্যযুক্ত, IRF540NPBF বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশনে কাজ করতে পারে।এটি 33A পর্যন্ত একটি উচ্চ কারেন্ট ক্ষমতারও গর্ব করে, এটিকে শক্তিশালী সুইচিং ক্ষমতার প্রয়োজন হয় এমন চাহিদাপূর্ণ সার্কিটগুলিতে ব্যবহারের জন্য আদর্শ করে তোলে।

কিন্তু যা সত্যিই IRF540NPBF কে আলাদা করে তা হল এর উন্নত ডিজাইন।কম অন-স্টেট রেজিস্ট্যান্স এবং দ্রুত সুইচিং স্পিড সহ, এই ট্রানজিস্টরটি অসাধারণভাবে দক্ষ এবং নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতা প্রদান করে।এটিতে একটি শ্রমসাধ্য নির্মাণও রয়েছে যা এটিকে তাপমাত্রা এবং কম্পনের মতো পরিবেশগত কারণগুলি থেকে ক্ষতি প্রতিরোধী করে তোলে।

তাই আপনি যদি এমন একটি উচ্চ-পারফরম্যান্স পাওয়ার ট্রানজিস্টর খুঁজছেন যা এমনকি সবচেয়ে চাহিদাপূর্ণ অ্যাপ্লিকেশনগুলিতেও উচ্চতর ফলাফল দিতে পারে, তাহলে IRF540NPBF বেছে নিন।এর ব্যতিক্রমী নকশা এবং নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতা সহ, এটি উন্নত ইলেকট্রনিক্স প্রকল্পগুলির জন্য নিখুঁত পছন্দ।

প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্য:

• প্রযুক্তি: Si
• মাউন্ট শৈলী: গর্ত মাধ্যমে
• প্যাকেজ/কেস: TO-220-3
• ট্রানজিস্টর পোলারিটি: এন-চ্যানেল
• চ্যানেলের সংখ্যা: 1টি চ্যানেল
• Vds - ড্রেন-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ: 100 V
• আইডি - ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট: 33 এ
• Rds অন - ড্রেন-সোর্স রেজিস্ট্যান্স: 44 mOhms
• Vgs - গেট-উৎস ভোল্টেজ: - 20 V, + 20 V
• Vgs th - গেট-উৎস থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ: 2 V
• Qg - গেট চার্জ: 47.3 nC
• ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা: - 55 সে
• সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা: + 175 সে
• পিডি - পাওয়ার ডিসিপেশন: 140 ওয়াট
• চ্যানেল মোড: বর্ধন
• প্যাকেজিং: টিউব
• ব্র্যান্ড: ইনফাইনন টেকনোলজিস
• কনফিগারেশন: একক
• উচ্চতা: 15.65 মিমি
• দৈর্ঘ্য: 10 মিমি
• পণ্যের ধরন: MOSFET