FQPF8N60C - ইলেকট্রনিক্স অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উচ্চ কর্মক্ষমতা MOSFET

আজই নির্ভরযোগ্য এবং দক্ষ ইলেকট্রনিক্স উপাদানগুলিতে বিনিয়োগ করুন

FQPF8N60C হল একটি MOSFET ট্রানজিস্টর যা উচ্চ কর্মক্ষমতা ইলেকট্রনিক্স অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।ইলেকট্রনিক্স ক্ষেত্রের একজন অভিজ্ঞ বিক্রেতা হিসেবে, যারা নির্ভরযোগ্য এবং দক্ষ ইলেকট্রনিক্স উপাদান খুঁজছেন তাদের কাছে এই উপাদানটির সুপারিশ করার ব্যাপারে আমরা আত্মবিশ্বাসী।এই MOSFET ট্রানজিস্টর একটি কম অন-রেজিস্ট্যান্স এবং দ্রুত স্যুইচিং ক্ষমতা প্রদান করে যা ইলেকট্রনিক সিস্টেমের দক্ষতা বাড়াতে সাহায্য করে।এটির একটি ড্রেন-সোর্স ভোল্টেজ রয়েছে 600V এবং এটি সর্বোচ্চ 176W শক্তির অপচয় পরিচালনা করতে পারে।

অধিকন্তু, এটি ছোট হিটসিঙ্কের ব্যবহারকে সহজ করে এবং ইলেকট্রনিক ডিজাইনের তাপ ব্যবস্থাপনাকে সহজ করে।FQPF8N60C হল পাওয়ার সুইচিং অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য একটি সাশ্রয়ী সমাধান যার জন্য উচ্চ কার্যক্ষমতা এবং দ্রুত স্যুইচিং ক্ষমতা প্রয়োজন৷এর মজবুত নির্মাণ এবং চমৎকার বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যের সাথে, এটি আপনার ইলেকট্রনিক সিস্টেমের জন্য একটি নির্ভরযোগ্য এবং দক্ষ অপারেশনের গ্যারান্টি দেয়।আজই FQPF8N60C-তে বিনিয়োগ করুন এবং আপনার ইলেকট্রনিক্স চাহিদা মেটাতে গ্যারান্টিযুক্ত একটি উচ্চ-পারফরম্যান্স MOSFET ট্রানজিস্টরের সুবিধা উপভোগ করুন।

আপনাকে সেরা ইলেকট্রনিক্স পণ্য সরবরাহ করতে আমাদের বিশ্বাস করুন যা আপনাকে উচ্চ-মানের এবং দীর্ঘস্থায়ী ইলেকট্রনিক সিস্টেম তৈরি করতে সক্ষম করবে।

প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্য:

• প্রযুক্তি: Si
• মাউন্ট শৈলী: গর্ত মাধ্যমে
• প্যাকেজ/কেস: TO-220-3
• ট্রানজিস্টর পোলারিটি: এন-চ্যানেল
• চ্যানেলের সংখ্যা: 1টি চ্যানেল
• Vds - ড্রেন-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ: 600 V
• আইডি - ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট: 7.5 এ
• Rds অন - ড্রেন-সোর্স রেজিস্ট্যান্স: 1.2 ওহমস
• Vgs - গেট-উৎস ভোল্টেজ: - 30 V, + 30 V
• Vgs th - গেট-উৎস থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ: 4 V
• Qg - গেট চার্জ: 28 nC
• ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা: - 55 সে
• সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা: + 150 সে
• পিডি - পাওয়ার ডিসিপেশন: 48 ওয়াট
• চ্যানেল মোড: বর্ধন
• সিরিজ: FQPF8N60C
• প্যাকেজিং: টিউব
• ব্র্যান্ড: অনসেমি / ফেয়ারচাইল্ড
• কনফিগারেশন: একক
• পতনের সময়: 64.5 এনএস