FQP8N60C উচ্চ-পারফরম্যান্স MOSFETs

FQP8N60C এর সাথে অতুলনীয় শক্তির অভিজ্ঞতা নিন

FQP8N60C হল একটি উচ্চ-পারফরম্যান্স MOSFET যা বিস্তৃত ইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনের জন্য অতুলনীয় শক্তি এবং কর্মক্ষমতা প্রদান করে।কম অন প্রতিরোধের এবং উচ্চ কারেন্ট ক্ষমতা সহ, এই MOSFET এমনকি সবচেয়ে বেশি চাহিদা সম্পন্ন বিদ্যুতের প্রয়োজনীয়তাগুলি পরিচালনা করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।FQP8N60C-এর কেন্দ্রস্থলে রয়েছে একটি অনন্য নকশা যা দক্ষতাকে সর্বাধিক করে এবং সঞ্চালন এবং স্যুইচিং উভয়ই ক্ষয়ক্ষতি কমিয়ে দেয়।এটি উন্নত কর্মক্ষমতা এবং আরও নির্ভরযোগ্য অপারেশনে অনুবাদ করে, এমনকি চরম পরিস্থিতিতেও।

একটি মজবুত নির্মাণ এবং উচ্চ-মানের উপকরণ সমন্বিত, এই MOSFET দীর্ঘস্থায়ী এবং কঠোর পরিবেশ সহ্য করার জন্য নির্মিত।এর ব্যতিক্রমী পারফরম্যান্সের সাথে, FQP8N60C হল ডিজাইনার এবং ইঞ্জিনিয়ারদের জন্য পছন্দের পছন্দ যারা তাদের ইলেকট্রনিক সিস্টেমকে অপ্টিমাইজ করতে চাইছেন।তাই আপনি যদি এমন একটি উচ্চ-পারফরম্যান্স MOSFET খুঁজছেন যা অতুলনীয় শক্তি এবং কর্মক্ষমতা প্রদান করে, তাহলে FQP8N60C ছাড়া আর তাকাবেন না।

সামগ্রিকভাবে, পণ্যের বিবরণ FQP8N60C এর উচ্চ-কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতার উপর দৃষ্টি নিবদ্ধ করে।একটি পরিষ্কার এবং সংক্ষিপ্ত শিরোনাম সম্ভাব্য গ্রাহকদের দৃষ্টি আকর্ষণ করবে এবং পণ্যটিকে আলাদা করে তুলবে।

• প্রযুক্তি: Si
• মাউন্ট শৈলী: গর্ত মাধ্যমে
• প্যাকেজ/কেস: TO-220-3
• ট্রানজিস্টর পোলারিটি: এন-চ্যানেল
• চ্যানেলের সংখ্যা: 1টি চ্যানেল
• Vds - ড্রেন-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ: 600 V
• আইডি - ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট: 7.5 এ
• Rds অন - ড্রেন-সোর্স রেজিস্ট্যান্স: 1.2 ওহমস
• Vgs - গেট-উৎস ভোল্টেজ: - 30 V, + 30 V
• Vgs th - গেট-উৎস থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ: 4 V
• Qg - গেট চার্জ: 28 nC
• ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা: - 55 সে
• সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা: + 150 সে
• পিডি - পাওয়ার ডিসিপেশন: 147 ওয়াট
• চ্যানেল মোড: বর্ধন
• সিরিজ: FQP8N60C
• প্যাকেজিং: টিউব
• ব্র্যান্ড: অনসেমি / ফেয়ারচাইল্ড
• কনফিগারেশন: একক
• পতনের সময়: 64.5 এনএস
• ফরোয়ার্ড ট্রান্সকন্ডাক্টেন্স - ন্যূনতম: 8.7 এস
• উচ্চতা: 16.3 মিমি
• দৈর্ঘ্য: 10.67 মিমি
• পণ্যের ধরন: MOSFET
• উঠার সময়: 60.5 এনএস