PSU পাওয়ার সাপ্লাইয়ের জন্য 48N60DM2 STWA48N60DM2 MOSFET PTD উচ্চ ভোল্টেজ প্রতিস্থাপন অংশ
STWA48N60DM2
,STWA48N60DM2 MOSFET
,PSU-এর জন্য MOSFET
চাহিদা রূপান্তরকারী জন্য উচ্চ দক্ষতা MOSFET
48N60DM2 - দ্রুত-পুনরুদ্ধার বডি ডায়োড সহ N-চ্যানেল 600V MOSFET
এমন একটি MOSFET খুঁজছেন যা সবচেয়ে বেশি চাহিদা সম্পন্ন উচ্চ-দক্ষ রূপান্তরকারীগুলি পরিচালনা করতে পারে?48N60DM2 এর চেয়ে আর তাকাবেন না।কম রিকভারি চার্জ এবং সময়ের সাথে, কম RDS(চালু) এর সাথে মিলিত, এই MOSFET ব্রিজ টপোলজি এবং ZVS ফেজ-শিফ্ট কনভার্টারগুলির জন্য আদর্শ।এর চমৎকার পারফরম্যান্সের পাশাপাশি, 48N60DM2-তে অত্যন্ত কম গেট চার্জ এবং ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্সও রয়েছে, সেইসাথে 100% তুষারপাত পরীক্ষা করা হয়েছে।
এছাড়াও, এর অত্যন্ত উচ্চ dv/dt রুক্ষতা এবং জেনার-সুরক্ষা এটিকে একটি নির্ভরযোগ্য এবং নিরাপদ পছন্দ করে তোলে।48N60DM2 এর সাথে আপনার কনভার্টার আপগ্রেড করুন - উচ্চ দক্ষতা এবং নির্ভরযোগ্যতার জন্য নিখুঁত পছন্দ।এই পাঠ্যটি পাঠকের মনোযোগ আকর্ষণ করার জন্য আকর্ষণীয় ভাষা ব্যবহার করার সময় পণ্যের বৈশিষ্ট্য এবং সুবিধাগুলির উপর ফোকাস করে রূপান্তরকে অপ্টিমাইজ করার উদ্দেশ্যে।পণ্যের সুবিধাগুলি হাইলাইট করে, গ্রাহকদের পদক্ষেপ নেওয়া এবং পণ্য কেনার সম্ভাবনা বেশি।
|
পণ্য তালিকা |
MOSFET |
|
প্রযুক্তি |
সি |
|
মাউন্ট শৈলী |
গর্তের দিকে |
|
প্যাকেজ/কেস |
TO-247-3 |
|
ট্রানজিস্টর পোলারিটি |
এন-চ্যানেল |
|
চ্যানেলের সংখ্যা |
1 চ্যানেল |
|
Vds - ড্রেন-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ |
600 ভি |
|
আইডি - ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট |
40 ক |
|
Rds অন - ড্রেন-উৎস প্রতিরোধ |
65 mOhms |
|
Vgs - গেট-উৎস ভোল্টেজ |
- 25 V, + 25 V |
|
Vgs th - গেট-উৎস থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ |
3 ভি |
|
Qg - গেট চার্জ |
70 nC |
|
ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা |
- 55 সে |
|
সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা |
+ 150 সে |
|
Pd - শক্তি অপচয় |
300 W |
|
চ্যানেল মোড |
বর্ধন |
|
প্যাকেজিং |
নল |
|
কনফিগারেশন |
একক |
|
সিরিজ |
STWA48N60DM2 |
|
ট্রানজিস্টরের ধরন |
1 এন-চ্যানেল |
|
পতনের সময় |
9.8 এনএস |
|
পণ্যের ধরন |
MOSFET |
|
সময় বৃদ্ধি |
27 এনএস |
|
উপশ্রেণি |
MOSFETs |
|
সাধারণ টার্ন-অফ বিলম্বের সময় |
131 এনএস |
|
সাধারণত টার্ন-অন বিলম্বের সময় |
27 এনএস |
|
একক ভর |
0.211644 oz |